收藏本站
Package Information
Vishay Siliconix
S OIC (NARROW): 8-LEAD
JEDEC P a rt N u m b er: M S -012
8
1
7
2
6
3
5
4
E
H
S
D
A
0.25 mm (G a ge Pl a ne)
h x 45
C
All Le a d s
e
B
A 1
L
q
0.101 mm
0.004"
MILLIMETERS
INCHES
DIM
A
A 1
B
C
D
E
e
H
h
L
q
S
Min
1.35
0.10
0.35
0.19
4.80
3.80
5.80
0.25
0.50
0°
0.44
1.27 BSC
Max
1.75
0.20
0.51
0.25
5.00
4.00
6.20
0.50
0.93
8°
0.64
Min
0.053
0.004
0.014
0.0075
0.189
0.150
0.228
0.010
0.020
0°
0.018
0.050 BSC
Max
0.069
0.008
0.020
0.010
0.196
0.157
0.244
0.020
0.037
8°
0.026
ECN: C-06527-Rev. I, 11-Sep-06
DWG: 5498
Document Number: 71192
11-Sep-06
www.vishay.com
1
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI4420-D1-FT IC TXRX FSK 915MHZ 5.4V 16-TSSOP
SI4420DYTR MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
SI4421DY-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
SI4427BDY-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC
SI4430BDY-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
SI4431BDY-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC
SI4435DDY-T1-E3 MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC
SI4435DY MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
相关代理商/技术参数
SI4412ADY 功能描述:MOSFET 30V 8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4412ADY-E3 功能描述:MOSFET 30V 8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4412ADY-T1 功能描述:MOSFET 30V 8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4412ADYT1E3 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:
SI4412ADY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4412ADY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 8.0A 2.5W 24mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4412DY 功能描述:MOSFET SO8 SINGLE NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4412DY 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SO-8